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该N沟道碳化硅MOSFET具备218A的连续漏极电流（ID）和750V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为11mΩ，栅源电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，支持高频开关操作，具有较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合对功率密度和热管理有较高要求的应用场合。