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该N沟道碳化硅MOSFET具备750V的漏源击穿电压（VDSS）和189A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）低至11mΩ。其栅源电压范围为-10V至@5V，支持宽范围驱动条件下的稳定运行。凭借碳化硅材料的高热导率与低开关损耗特性，该器件适用于高功率密度、高效率要求的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频开关应用中的主功率开关环节。