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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗。其低RDS(on)有助于提升系统整体效率，而较宽的VGS范围则增强了驱动灵活性和电路兼容性，适用于高功率密度及高效率要求的电源转换应用。