C3D100065B_module-B_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: module-B
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 6/托盘
参数1: IF:100A
参数2: VR:650V
参数3: VF:1.3V
参数4: IR:5uA
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管额定持续正向电流为100A,反向重复峰值电压达650V,适用于中高压直流系统。其正向导通压降仅为1.3V,在同类器件中具有较低的导通损耗,有助于提升能效。反向漏电流低至5μA,表现出优异的阻断性能和热稳定性。器件可承受750A的非重复浪涌电流,具备较强的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的高速开关特性,该二极管可有效减少开关损耗,适用于高频功率变换拓扑,如高效整流电路、大功率电源模块及高密度能量转换装置,支持系统向小型化与高效化发展。

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