-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的高频电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于各类高密度、高效率的电力电子应用中。