-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。其较低的导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。器件适用于中高功率的电源管理、电机控制及开关电源等应用场合，在兼顾电流承载能力与电压耐受性的基础上，能够支持较高频率的开关操作，满足对热稳定性和能效有要求的电子系统设计需求。
