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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为9A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为306mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类紧凑型电力电子装置中，有助于提升整体能效并减小系统体积。