-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于中等功率的开关电源、电池供电设备及负载开关等应用场景。器件在高频操作下仍能保持稳定的电气性能，适合对体积和热管理有较高要求的电子系统。
