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该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。