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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃条件下可支持9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为306mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V（VGS），适用于多种驱动电路配置。器件基于碳化硅材料，具备快速开关能力与较低的导通损耗，在高频率、高效率要求的电源转换和功率管理应用中表现良好。
