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该N沟道碳化硅MOSFET具有14A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为315mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、光伏逆变、服务器电源及类似对能效和功率密度有较高要求的应用场景。