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该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在导通状态下呈现8.5毫欧的低导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件适用于高效率电源转换、电机驱动及各类开关应用，其低导通损耗有助于提升系统整体能效，同时支持大电流工作条件下的稳定运行。
