-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在大电流工作条件下维持较低温升。器件适用于高效率电源系统、电机控制及各类需要频繁开关操作的电力电子应用，能够支持高功率密度设计并提升整体能效表现。
