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该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为75A，最大漏源电压（VDSS）为100V，导通电阻（RDS(ON)）为6.4毫欧。凭借低导通电阻特性，器件在高电流条件下可有效降低导通损耗，提升能效。适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及高功率电子设备等场景，能够满足对高电流承载能力和热稳定性的需求，在频繁开关或持续负载运行中保持可靠性能。