-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为306mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与导通损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电源转换系统。其电气参数适配多种拓扑结构，可有效提升整体系统性能与可靠性。