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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为320mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，支持可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率，器件在高频、高温环境下仍能维持稳定性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统及可再生能源相关设备。