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该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为260mΩ，在栅源电压范围-5V至!6V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能与较低的导通损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景，如服务器电源、可再生能源逆变系统及高频率开关电源等应用。