-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为18A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料构建，具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块，在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定电气性能。