-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。器件在高电流条件下仍能维持较低的导通损耗，适用于电源转换、电池管理系统、电动工具及各类高效率开关电路中，其低阻抗特性有助于提升系统能效并减少发热。