-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至@5V，具备良好的开关特性与热稳定性，能够在严苛的电气环境中保持可靠运行。器件采用碳化硅材料，相较传统硅基MOSFET显著降低导通与开关损耗，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。