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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和高频开关能力，在高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中可实现更低的导通损耗与更高的系统响应速度。其宽栅压范围提升了驱动电路的适配灵活性。
