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该N沟道碳化硅MOSFET支持108A的连续漏极电流，漏源电压额定值为750V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高电压、大电流条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，并具备良好的高温工作能力。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换、可再生能源接入及高频电力电子系统。