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该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高功率密度的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对电气性能和热管理要求较高的电力电子装置中。