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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流、750V的漏源击穿电压和20mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对热性能和功率密度有严格要求的电力电子设备。