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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于减少热损耗，提升系统整体能效表现。