-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻仅为20mΩ，可在高电压、大电流条件下实现低损耗运行。栅源驱动电压范围为-10V至@5V，支持宽范围的驱动信号输入，增强系统设计灵活性。凭借碳化硅材料的物理优势，器件在高频开关应用中表现出优异的热稳定性和效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换与电力调节场合。