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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至@5V，具备良好的驱动兼容性与开关特性。得益于碳化硅材料的优异性能，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定工作，适合对能效和体积有较高要求的电源系统应用。