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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，适用于高效率、高频率的功率开关应用。其栅源电压范围为-10V至@5V，具备良好的驱动兼容性与抗干扰能力。碳化硅材料的引入使器件在高温、高压及高频工作条件下仍能保持优异的电气性能和热稳定性，适合用于对体积紧凑性与能量转换效率要求较高的电源系统。
