-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压达750V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与高耐压特性，使其在高频率开关应用中表现出色，同时宽栅压范围提升了驱动兼容性与系统设计灵活性。