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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备，在提升系统整体能效和功率密度方面具有显著优势。
