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该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流（ID）为65A，漏源电压（VDSS）为60V，导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件在中高电流条件下具备良好的导通特性与开关性能，适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效能开关电路。其较低的导通电阻有助于降低功耗，提升系统热稳定性，同时兼容标准逻辑电平驱动，便于集成于多种电子系统中。
