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该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）、5A的连续漏极电流（ID）以及1300毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其电气特性适用于中等功率的开关应用，在较高电压环境下仍能维持稳定工作。典型应用场景包括开关电源、LED驱动电路、电机控制及各类通用电子设备中的功率开关环节，能够满足对电压耐受能力和基本导通性能的需求。
