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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和高频开关能力，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。