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该N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备25A的连续漏极电流（ID）和800V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ。其栅源驱动电压范围为-8V至@0V，适用于高效率、高频工作的功率转换系统。碳化硅材料的采用有效降低了开关与导通损耗，配合较宽的栅极驱动电压窗口，有助于提升系统稳定性与控制精度，适合对能效和热性能有较高要求的应用场合。
