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该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS），以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，同时支持高电流密度工作。适用于高功率电源转换、电机驱动和高频开关等应用场合，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
