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本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-10V至@5V，确保器件在驱动下的稳定性和可靠性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件具备优异的高频开关性能、高温工作能力及较低的开关损耗，适用于高功率密度电源系统，如高效直流变换器、大功率开关电源模块、可再生能源发电逆变设备以及储能系统的功率转换单元。
