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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为320mΩ。栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下稳定开关。凭借碳化硅材料的特性，其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热性能，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备中的功率管理环节。