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该碳化硅场效应管为N沟道结构，漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS达800V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热管理要求较高的高频开关场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合在复杂电气环境中稳定运行。