-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现稳定。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、直流-直流转换及电机驱动等场景，能够有效支持频繁开关操作并维持较低温升。
