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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为14A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为315mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高频开关电源等应用中表现突出。其电气参数组合支持在紧凑型设计中实现良好的热性能与能效平衡。