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该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为306mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压和高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高效率AC/DC变换器等场合。