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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、光伏逆变系统、服务器供电模块及紧凑型电力电子设备，在提升系统效率与功率密度方面表现突出。