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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为4.2A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为1555mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备较高的耐压能力和良好的高温工作特性，适用于中低功率的高频开关应用。其结构支持在高电压环境下稳定运行，同时保持较低的开关损耗，适合对体积和效率有一定要求的电源转换系统。