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该N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有800V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃条件下可支持10.2A的连续漏极电流（ID），其导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V（VGS），适用于需要高耐压与中等电流能力的电力转换场景。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适合用于对效率和热管理有较高要求的电源系统中。
