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该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和90A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达±20V。凭借极低的导通电阻和高电流承载能力，器件在大电流开关应用中可有效降低功率损耗与温升。适用于高效率电源转换、电机驱动、电池充放电控制以及对热性能和能效要求严苛的电子系统中的功率开关环节。
