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该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为306mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子设备。