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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9A的连续漏极电流（ID）以及306mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源电压（VGS）范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于对效率、功率密度和动态响应有较高要求的电源管理与能量转换系统。
