-------<点击了解更多 + 购买>-------

该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、开关电源及各类电力电子系统中，可有效降低开关损耗并提升整体能效表现。