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该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、光伏逆变系统、不间断电源及各类对能效和热管理有较高要求的电力电子应用。