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该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。凭借极低的导通损耗，该器件适用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景，在持续高负载条件下仍能保持较低温升，有助于提升系统能效与运行可靠性。